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Evolution of the spectral lineshape at the magnetic transition in Sr2IrO4 and Sr3Ir2O7
Publié le 07/04/2023
... Foulquier, P., Civelli, M., Rozenberg, M., Camjayi, A., Bobadilla, J., Colson, D., Forget, A., Thuéry, P., Bertran, F., Le Fèvre, P., Brouet, V. "Evolution of the spectral lineshape at the magnetic transition in Sr2IrO4 and Sr3Ir2O7". European Physical ...
Visualizing Higher-Fold Topology in Chiral Crystals
Publié le 10/02/2023
... Cochran, T.A., Belopolski, I., Manna, K., Yahyavi, M., Liu, Y., Sanchez, D.S., Cheng, Z.J., Yang, X.P., Multer, D., Yin, J.X., Borrmann, H., Chikina, A., Krieger, J.A., Sánchez-Barriga, J., Le Fèvre, P., Bertran, F., Strocov, V.N., Denlinger, J.D., Chang, ...
Early-stage growth of GeTe on Si(111)-Sb
Publié le 24/01/2023
... Croes, B., Cheynis, F., Fagot-Revurat, Y., Müller, P., Curiotto, S., Leroy, F. "Early-stage growth of GeTe on Si(111)-Sb" Physical Review Materials., 7(1): art.n° 014409. (2023). ...
Giant electron-phonon interaction for a prototypical semiconductor interface: Sn/Ge(111)-(3 × 3)
Publié le 13/01/2023
... Nair, M.N., Palacio, I., Mascaraque, A., Michel, E.G., Taleb-Ibrahimi, A., Tejeda, A., González, C., Martín-Rodero, A., Ortega, J., Flores, F. "Giant electron-phonon interaction for a prototypical semiconductor interface: Sn/Ge(111)-(3 × 3)" Physical ...
An epitaxial graphene platform for zero-energy edge state nanoelectronics
Publié le 20/12/2022
... Prudkovskiy, V.S., Hu, Y., Zhang, K., Hu, Y., Ji, P., Nunn, G., Zhao, J., Shi, C., Tejeda, A., Wander, D., De Cecco, A., Winkelmann, C.B., Jiang, Y., Zhao, T., Wakabayashi, K., Jiang, Z., Ma, L., Berger, C., de Heer, W.A. "An epitaxial graphene platform ...
Matériaux multicouches quantiques - des hétérostructures WSe2/BiFeO3 pour de futures mémoires non-volatiles ?
Publié le 12/12/2022
... L’objet de ce travail était d’étudier comment la structure électronique du composé WSe2, dont dépendent toutes les propriétés de ce matériau, change en fonction du sens de la polarisation électrique d’un composé ferroélectrique sur lequel il ...
Les effets du confinement (des électrons) sur les états de surface d’un isolant topologique
Publié le 22/11/2022
... Aujourd’hui, la capacité totale de stockage de données dans le monde se situe entre 10 et 50 zettaoctets (1021), et cette valeur pourrait doubler tous les deux ans. La recherche portant sur de nouveaux matériaux qui permettraient une plus ...
Visualizing Giant Ferroelectric Gating Effects in Large-Scale WSe2/BiFeO3 Heterostructures
Publié le 18/11/2022
... Salazar; R., Varotto, S., Vergnaud, C., Garcia, V., Fusil, S., Chaste, J., Maroutian, T., Marty, A., Bonell, F., Pierucci, D., Ouerghi, A., Bertran, F., Le Fèvre, P., Jamet, M., Bibes, M., Rault, J. "Visualizing Giant Ferroelectric Gating Effects in ...
Fermi surface of LaSb2 and direct observation of a CDW transition
Publié le 02/11/2022
... Palacio, I., Obando-Guevara, J., Chen, L., Nair, M.N., Gonzalez Barrio, M.A., Papalazarou, E., Le Fèvre, P., Taleb-Ibrahimi, A., Michel, E.G., Mascaraque, A., Tejeda, A. "Fermi surface of LaSb2 and direct observation of a CDW transition" Applied Surface ...
Electronic structure of Bi nanolines on InAs(100)
Publié le 27/10/2022
... Nafday, D., Richter, C., Heckmann, O., Wang, W., Mariot, J.M., Djukic, U., Vobornik, I., Lefevre, P., Taleb-Ibrahimi, A., Bertran, F., Rault, J., Nicolaï, L., Ong, C.S., Thunström, P., Hricovini, K., Minár, J., Di Marco, I. "Electronic structure of Bi ...