RECHERCHER

... Cavallo, M., Bossavit, E., Zhang, H., Dabard, C., Dang, T.H., Khalili, A., Abadie, C., Alchaar, R., Mastrippolito, D., Prado, Y., Becerra, L., Rosticher, M., Silly, M.G., Utterback, J.K., Ithurria, S., Avila, J., Pierucci, D., Lhuillier, E. "Mapping the ...

... Gilbert, S.J., Li, M., Chen, J.S., Yi, H., Lipatov, A., Avila, J., Sinitskii, A., Asensio, M.C., Dowben, P.A., Yost, A.J. "Chiral Photocurrent in a Quasi-1-D TiS3 (001) Phototransistor" Journal of Physics Condensed Matter., 35(12): art.n° 124003. (2023). ...

... Croes, B., Cheynis, F., Fagot-Revurat, Y., Müller, P., Curiotto, S., Leroy, F. "Early-stage growth of GeTe on Si(111)-Sb" Physical Review Materials., 7(1): art.n° 014409. (2023). ...

... Nair, M.N., Palacio, I., Mascaraque, A., Michel, E.G., Taleb-Ibrahimi, A., Tejeda, A., González, C., Martín-Rodero, A., Ortega, J., Flores, F. "Giant electron-phonon interaction for a prototypical semiconductor interface: Sn/Ge(111)-(3 × 3)" Physical ...

... Guo, T., Sa, Z., Wei, P., Jian, Y., Chen, X., Chen, Z., Avila, J., Dudin, P., Yang, Z., Song, X., Liu, F., Zhang, S. "High-performance flexible broadband photodetectors enabled by 2D Ta2NiSe5 nanosheets" 2D Materials., 10(2): art.n° 025004. (2023). ...

... Marchiani, D., Tonelli, A., Mariani, C., Frisenda, R., Avila, J., Dudin, P., Jeong, S., Ito, Y., Magnani, F.S., Biagi, R., De Renzi, V., Betti, M.G. "Tuning the Electronic Response of Metallic Graphene by Potassium Doping" Nano Letters., 23(1): 170–176. ...

... Prudkovskiy, V.S., Hu, Y., Zhang, K., Hu, Y., Ji, P., Nunn, G., Zhao, J., Shi, C., Tejeda, A., Wander, D., De Cecco, A., Winkelmann, C.B., Jiang, Y., Zhao, T., Wakabayashi, K., Jiang, Z., Ma, L., Berger, C., de Heer, W.A. "An epitaxial graphene platform ...

... L’objet de ce travail était d’étudier comment la structure électronique du composé WSe2, dont dépendent toutes les propriétés de ce matériau, change en fonction du sens de la polarisation électrique d’un composé ferroélectrique sur lequel il ...

... Aujourd’hui, la capacité totale de stockage de données dans le monde se situe entre 10 et 50 zettaoctets (1021), et cette valeur pourrait doubler tous les deux ans. La recherche portant sur de nouveaux matériaux qui permettraient une plus ...

... Salazar; R., Varotto, S., Vergnaud, C., Garcia, V., Fusil, S., Chaste,  J., Maroutian, T., Marty, A., Bonell, F., Pierucci, D., Ouerghi, A., Bertran, F., Le Fèvre, P., Jamet, M., Bibes, M., Rault, J. "Visualizing Giant Ferroelectric Gating Effects in ...