La ligne de lumière GALAXIES est dédiée à la diffusion inélastique des rayons X (IXS) et à la photoémission de haute énergie (HAXPES). Ces techniques spectroscopiques sont des sondes puissantes des propriétés électroniques des materiaux. La ligne de lumière est optimisée pour travailler dans le domaine en énergie de 2.3 à 12 keV avec une excellente résolution et un faisceau micro-focalisé.
La ligne GALAXIES comprend 2 stations expérimentales RIXS et HAXPES
Thématiques scientifiques
| Matériaux quantiques |
Electrons fortement corrélés Matériaux supraconducteurs Composés à valence mixte ou fermions lourds Heterostructures d'oxyde ; interfaces |
|---|---|
| Matériaux pour l'énergie, Catalyse |
Complexes métalliques Analyse chimique in-situ Catalyse, électrochimie |
| Conditions Extrêmes |
Transiitons de phase sous haute pression Seuils K des éléments légers |
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Matière Diluée, Phases liqudes |
Chimie en solution Dynamique moléculaire ultrarapide |
| Matéiraux anciens, patrimoine |
Spéciation chimique Imagerie |
L'équipe
Associés et partenaires
Associés :
Marc SIMON, LCPMR, Sorbonne Université, Paris
Victor BALEDENT, LPS, Université Paris Saclay, Orsay
Matteo GATTI, LSI, Ecole Polytechnique
Partenaires Académiques :
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Partenaires Financement :
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Offres d'emploi & de stage
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Données techniques
2.3 – 12 keV
ΔE entre 100 meV et 1 eV à 8 keV
Onduleur U20 sous vide
linéaire (H)
linéaire (V) et circulaire avec lame 1/4 d'onde
20 (V) x 80 (H) µm2 en mode standard, 5 (V) x 10 (H) µm2 en configuration KB
Monochromateur 2 x Si111 (DCM)
Monochromateur de Haute Résolution 4 x Si 220 asymmetrique (9deg) et symmetriques (HRM)
Miroirs de collimation et de focalisation ; miroirs en configuration KB
1.5x1012 ph/s (foc. standard), 5x1011 (micro-foc.) à 8 keV
Détecteurs pixélisés
Diodes Si (SDD)
Diode avalanche (APD)
RIXS : Spectromètre IXS 1-2m de rayon ; Montage multi-analyseurs (4x1 ou 2x2) 1-0.5 m de rayon;
HAXPES : Analyseur d’électron haute énergie / haute résolution (30 meV à 12 keV) SCIENTA EW4000
Plan GALAXIES
RIXS
IXS / RIXS / XES
Spectromètre Newport RIXS en géométrie de cercle de Rowland
Gamme en énergie : ~4-12 keV
Taille du spot : 80 x 30 μm2 (H x V) [mode M2B] or 15 x 15 μm2 (H x V) [mode KB]
XES scanning / HERFD-XAS
4 cristaux, R = 1m ou 0.5 m
Géométrie de Johann
XRS
X-Ray Raman Scattering
Géométrie de Johann
Si(110), 40 analyseurs, R = 1m
XES dispersif
Géométrie dispersive Von Hamos
8 x Si(110), 8 x Si(111), R :=0.5 m
Liste des analyseurs disponibles
| Crystal | Rayon | Emin | Emax | Use | Type |
| Si(111) | 1 m | 1977.35 (1) | 2103.93 (1) | Courbé uniforme | |
| 5932.05 (3) | 6311.79 (3) | Cr Kβ, Gd Lα1, Tb Lα1, Cr K | |||
| 7909.40 (4) | 8415.72 (4) | Cu Kα1, Ni Kβ | |||
| 9886.74 (5) | 10519.65 (5) | Tl La1 | |||
| Si (220) | 1 m | 3229.00 (1) | 3435.70 (1) | K Kα1, nIXS | Courbé diced |
| 6457.99 (2) | 6871.41 (2) | Mn Kβ, Mn K | |||
| 9686.99 (3) | 10307.1 (3) | Ge Kα1 | |||
| Ge (331) | 1 m | 4777.59 | 5083.43 | Ce Lα1, V Kα1, Pr Lα1 | Courbé uniforme |
| Si (531) | 1 m | 6753.93 | 7186.29 | Co Kα1,Fe Kβ, Fe K | Courbé uniforme |
| Si (620) | 1 m | 7220.26 | 7682.47 | Yb Lα1, Ni Kα1, Co Kβ | Courbé uniforme |
| Si (533) | 2 m | 7486.12 | 7786.62 | Co Kβ, Co K | Courbé uniforme |
| Si (551) | 2 m | 8152.82 | 8480.08 | Ni Kβ, Ni K | Courbé uniforme |
| Si (553) | 2 m | 8768.97 | 9120.97 | Cu Kβ, Cu K | Courbé uniforme |
| Ge(111) | 1 m | 1898.42 (1) | 2019.95 (1) | P Kα1 | Courbé uniforme |
| 5695.26 (3) | 6059.85 (3) | Mn Kα1, Eu Lα1 | |||
| 7593.68 (4) | 8079.79 (4) | Co K, Co Kβ | |||
| 9492.10 (5) | 10099.74 (5) | Zn K, Zn Kβ, Ge Kα1 | |||
| Ge(220) | 1m | 3100.00 (1) | 3298.45 (1) | K Kα1 | Courbé uniforme |
| 6199.99 (2) | 6596.89 (2) | Fe Kα1, Mn Kβ | |||
| 9299.99 (3) | 9895.34 (3) | Zn Kβ | |||
| Si(311) | 1m | 3786.34 (1) | 4028.72 (1) | I Lα1, Ca Kβ, Ca K | Courbé uniforme |
| 11359.01 (3) | 12086.16 (3) | As K, Br Kα1 |
Environments échantillon
- Cellules Haute pression
- Basse température : cryostats He à circulation / circuit fermé / changement rapide d'échantillon / cryostat pour haute pression
- Haute température
- Microjet liquide
- Cellule liquide
HAXPES
Instrument
Analyseur hémisphérique SCIENTA EW4000
Ec < 12 keV, résolution = 150 meV
Large acceptance angulaire +/- 25°
Taille du spot : 80 x 30 μm2 (H x V)
Préparation échantillons
- Clivage UHV
- Haut température (900 °C)
- LEED
Environnement échantillons
- Manipulateur 4 axes
- Basse témpérature (15 K)
- Haute température (900 °C)
- In-situ bias
- Microjet liquide
- Cellule liquide
- Cellule gaz
Réferences
Merci d'utiliser les références suivantes lors de l'utilisation d'un des équipements de la ligne
Beamline
J.-P. Rueff, J. M. Ablett, D. Céolin, D. Prieur, Th. Moreno, V. Balédent, B. Lassalle, J. E. Rault, M. Simon, and A. Shukla, The galaxies beamline at soleil synchrotron: Inelastic x-ray scattering and photoelectron spectroscopy in the hard x-ray range, J. Synchrotron Rad. 22, 175 (2015).
HAXPES
D. Céolin, J.M. Ablett, D. Prieur, T. Moreno, J.-P. Rueff, B. Pilette, T. Marchenko, L. Journel, T. Marin, R. Guillemin, and M. Simon, Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy on the GALAXIES beamline at the SOLEIL synchrotron, J. Elec. Spect. Relat. Phenom. 190, 188 (2013)
RIXS
J. M. Ablett,D. Prieur, D. Céolin, B. Lassalle-Kaiser, B. Lebert, M. Sauvage, Th. Moreno, S. Bac, V. Balédent, A. Ovono, M. Morand, F. Gélebart, A. Shukla and J.-P. Rueff, 'The GALAXIES inelastic hard X-ray scattering end-station at Synchrotron SOLEIL,' J. Synchrotron Rad. 26, 2019.
RIXS Multianalyseurs
F. Gélebart, M. Morand, Q. Dermigny, P. Giura, J.-P. Rueff, and A. Shukla, Large Solid Angle Spectrometer for Inelastic X-ray Scattering, AIP Conference Proceedings 879 (2007), no. 1, 1837.
HRM
J.M. Ablett, J.-M. Dubuisson, T. Moreno, D. Céolin, E. Raimon, D. Prieur, D. Corruble, J. Coquet, A. Lestrade, C. Bourgoin, and J.-P. Rueff, New Design Concept for a High-Resolution In-Vacuum 4-Bounce Hard X-Ray Monochromator at the GALAXIES Beamline at the SOLEIL Synchrotron, Journal of Physics Conferences Series, 425: art.n° 052007 (2013)
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