ANTARES
Imaging the Thickness-Dependent Formation of Schottky Barriers in Metal–Semiconductor van der Waals Heterostructures
Référence
D. Mastrippolito, M. Cavallo, M. Paye, C. Gureghian, A. Colle, J. Roh, D. Maity, C. Villefroy, E. Dandeu, H. Cruguel, S. Lorcy, M. Hervé, J. K. Utterback, P. Dudin, J. Biscaras, J. Avila, E. Lhuillier, D. Pierucci "Imaging the Thickness-Dependent Formation of Schottky Barriers in Metal–Semiconductor van der Waals Heterostructures". Advanced Functional Materials, online first (13/08/2026)():. (2026).
Année de publication
2026
Auteurs
D. Mastrippolito
M. Cavallo
M. Paye
C. Gureghian
A. Colle
J. Roh
D. Maity
C. Villefroy
E. Dandeu
H. Cruguel
S. Lorcy
M. Hervé
J. K. Utterback
P. Dudin
J. Biscaras
J. Avila
E. Lhuillier
D. Pierucci
Lignes de lumière
rec-number
13426
Référence anonyme
D. Mastrippolito, M. Cavallo, M. Paye, C. Gureghian, A. Colle, J. Roh, D. Maity, C. Villefroy, E. Dandeu, H. Cruguel, S. Lorcy, M. Hervé, J. K. Utterback, P. Dudin, J. Biscaras, J. Avila, E. Lhuillier, D. Pierucci "Imaging the Thickness-Dependent Formation of Schottky Barriers in Metal–Semiconductor van der Waals Heterostructures".
Advanced Functional Materials,
online first (13/08/2026)():.
(2026).
Type de publication
Date
Direct visualization of field-driven valence band modulation in electrostatically reconfigured graphene devices
Référence
U. Rayimjonova, C.-Y. Huang, Y.-C. Weng, E. Cartwright, F. O. Johansson, N. Vannucchi, P. Dudin, A. Jose, D. Pei, D. Muradas-Belinchón, H. Nameirakpam, Z. Li, A. Lindblad, M. V. Kamalakar "Direct visualization of field-driven valence band modulation in electrostatically reconfigured graphene devices". Reports on Progress in Physics, online first (02/06/2026)():. (2026).
Année de publication
2026
Auteurs
U. Rayimjonova
C.-Y. Huang
Y.-C. Weng
E. Cartwright
F. O. Johansson
N. Vannucchi
P. Dudin
A. Jose
D. Pei
D. Muradas-Belinchón
H. Nameirakpam
Z. Li
A. Lindblad
M. V. Kamalakar
Lignes de lumière
rec-number
13257
Référence anonyme
U. Rayimjonova, C.-Y. Huang, Y.-C. Weng, E. Cartwright, F. O. Johansson, N. Vannucchi, P. Dudin, A. Jose, D. Pei, D. Muradas-Belinchón, H. Nameirakpam, Z. Li, A. Lindblad, M. V. Kamalakar "Direct visualization of field-driven valence band modulation in electrostatically reconfigured graphene devices".
Reports on Progress in Physics,
online first (02/06/2026)():.
(2026).
Type de publication
Date
La nouvelle édition de nos Highlights rassemble 41 faits marquants sélectionnés parmi les quelque 700 articles, publiés en 2025, issus des recherches menées sur les lignes de lumière de SOLEIL, mais également au sein de toutes les équipes du synchrotron qui permettent aux scientifiques d’utiliser ces lignes.
Intrinsic Layer Polarization and Multi-flatband Transport in Non-centrosymmetric Mixed-Stacked Multilayer Graphene
Référence
K. Liu, Y. Sha, B. Yin, H. Zhang, J. Lu, S. Liu, S. Wu, Y. Ren, Z. Guo, J. Gao, M. Tian, N. Wan, K. Watanabe, T. Taniguchi, B. Tong, G. Liu, L. Lu, Y. Zhang, W. Luo, Z. Shi, S. Zhou, Q. Wu, G. Chen "Intrinsic Layer Polarization and Multi-flatband Transport in Non-centrosymmetric Mixed-Stacked Multilayer Graphene". Nano Letters, online first (26/05/2026)():. (2026).
Année de publication
2026
Auteurs
K. Liu
Y. Sha
B. Yin
H. Zhang
J. Lu
S. Liu
S. Wu
Y. Ren
Z. Guo
J. Gao
M. Tian
N. Wan
K. Watanabe
T. Taniguchi
B. Tong
G. Liu
L. Lu
Y. Zhang
W. Luo
Z. Shi
S. Zhou
Q. Wu
G. Chen
Lignes de lumière
rec-number
13217
Référence anonyme
K. Liu, Y. Sha, B. Yin, H. Zhang, J. Lu, S. Liu, S. Wu, Y. Ren, Z. Guo, J. Gao, M. Tian, N. Wan, K. Watanabe, T. Taniguchi, B. Tong, G. Liu, L. Lu, Y. Zhang, W. Luo, Z. Shi, S. Zhou, Q. Wu, G. Chen "Intrinsic Layer Polarization and Multi-flatband Transport in Non-centrosymmetric Mixed-Stacked Multilayer Graphene".
Nano Letters,
online first (26/05/2026)():.
(2026).
Type de publication
Date
Tunable electronic band structure in WS2
Référence
"Tunable electronic band structure in WS2(1−?)Se2? van der Waals alloys". Physical Review B, 112(245423):. ().
Lignes de lumière
rec-number
12970
Référence anonyme
"Tunable electronic band structure in WS2(1−?)Se2? van der Waals alloys".
Physical Review B,
112(245423):.
().
Type de publication
Date
Evidence for strong electronic correlations in the bulk state of grey arsenic
Référence
M. Kang, H. Im, J.-E. Lee, S.-K. Mo, J. Denlinger, K. Kim, P. Dudin, J. Ávila, H. Kang, J. Lee, J. Mok Ok, X. Zhu, J. Guo, C. Hwang "Evidence for strong electronic correlations in the bulk state of grey arsenic". Journal of the Korean Physical Society, online first (28/02/2026)():. (2026).
Année de publication
2026
Auteurs
M. Kang
H. Im
J.-E. Lee
S.-K. Mo
J. Denlinger
K. Kim
P. Dudin
J. Ávila
H. Kang
J. Lee
J. Mok Ok
X. Zhu
J. Guo
C. Hwang
Lignes de lumière
rec-number
12994
Référence anonyme
M. Kang, H. Im, J.-E. Lee, S.-K. Mo, J. Denlinger, K. Kim, P. Dudin, J. Ávila, H. Kang, J. Lee, J. Mok Ok, X. Zhu, J. Guo, C. Hwang "Evidence for strong electronic correlations in the bulk state of grey arsenic".
Journal of the Korean Physical Society,
online first (28/02/2026)():.
(2026).
Type de publication
Date
Surface Passivation of HgTe Nanocrystals Enabling EG/2 Open-Circuit Voltage and Their Coupling to Dielectric Cavity for Narrow Detection
Référence
A. Colle, C. Gureghian, D. Mastrippolito, M. Cavallo, J. Roh, M. Paye, T. Gemo, D. Almeida, A. Khalili, Y. Prado, X. Lafosse, S. Ithurria, M. G. Silly, P. Dudin, J. K. Utterback, J. Avila, D. Pierucci, E. Lhuillier "Surface Passivation of HgTe Nanocrystals Enabling EG/2 Open-Circuit Voltage and Their Coupling to Dielectric Cavity for Narrow Detection". Advanced Materials, 38(26):e73019. (2026).
Année de publication
2026
Auteurs
A. Colle
C. Gureghian
D. Mastrippolito
M. Cavallo
J. Roh
M. Paye
T. Gemo
D. Almeida
A. Khalili
Y. Prado
X. Lafosse
S. Ithurria
M. G. Silly
P. Dudin
J. K. Utterback
J. Avila
D. Pierucci
E. Lhuillier
Lignes de lumière
rec-number
13066
Référence anonyme
A. Colle, C. Gureghian, D. Mastrippolito, M. Cavallo, J. Roh, M. Paye, T. Gemo, D. Almeida, A. Khalili, Y. Prado, X. Lafosse, S. Ithurria, M. G. Silly, P. Dudin, J. K. Utterback, J. Avila, D. Pierucci, E. Lhuillier "Surface Passivation of HgTe Nanocrystals Enabling EG/2 Open-Circuit Voltage and Their Coupling to Dielectric Cavity for Narrow Detection".
Advanced Materials,
38(26):e73019.
(2026).
Type de publication
Date
Les matériaux 2D sont d’excellents candidats pour l’émission de lumière dans des composants de type LED. De plus, assembler plusieurs de ces matériaux, aux propriétés différentes (métal, isolant, semi-conducteur), permet théoriquement d’obtenir des composants complexes combinant les propriétés en question. Pour fonctionner, ces composants doivent être reliés à des électrodes. Mais où, exactement, appliquer la tension électrique ?
Des chercheurs de l’Université Tsinghua (Pékin) et leurs collaborateurs ont utilisé la technique NanoARPES sur la ligne de lumière ANTARES de SOLEIL afin de révéler comment un motif de moiré dans le graphène rhomboédrique transforme fondamentalement son comportement électronique.
Leurs résultats apportent des éléments clés pour comprendre les mécanismes microscopiques à l’origine de l’effet Hall anomal quantique fractionnaire.
Symmetry-resolved electronic band structure of quasi-one-dimensional HfSe3 (001)
Référence
G. Viswan, B. Ashraf, J. Avila, D. Le, A. Lipatov, T. Komesu, A. Sinitskii, T. S. Rahman, M. C. Asensio, P. A. Dowben "Symmetry-resolved electronic band structure of quasi-one-dimensional HfSe3 (001)". Physical Review B, 113():075401. (2026).
Année de publication
2026
Auteurs
G. Viswan
B. Ashraf
J. Avila
D. Le
A. Lipatov
T. Komesu
A. Sinitskii
T. S. Rahman
M. C. Asensio
P. A. Dowben
Lignes de lumière
rec-number
12910
Référence anonyme
G. Viswan, B. Ashraf, J. Avila, D. Le, A. Lipatov, T. Komesu, A. Sinitskii, T. S. Rahman, M. C. Asensio, P. A. Dowben "Symmetry-resolved electronic band structure of quasi-one-dimensional HfSe3 (001)".
Physical Review B,
113():075401.
(2026).
Type de publication
Date