Description générale
Vortex® -EM dérive de silicium détecteurs de rayons X comportent des zones actives entre 30 mm2 et 80 mm2. détecteurs Vortex® -EM sont produites à partir de silicium de haute pureté en utilisant la technologie de production CMOS state-of -the-art. Elles disposent d' une excellente résolution en énergie ( < 130 eV FWHM au Mn Koc est typique ) et une capacité de taux de comptage.
À 0.1 ps PT avec un débit de 900 kcps de comptage de sortie est atteint. Une caractéristique unique de ces détecteurs est leur capacité à traiter des taux de comptage élevés avec une très faible perte dans la résolution de l'énergie et minime changement de pointe avec un taux de comptage.
Applications
| Fluoresence rayon - x (XRF) spectroscopie et micro-fluorescence |
| Micro-analyse pour SEM et TEM |
| Synchrotron radiation applications |
| Particules induit rayon - x emission (PIXE) |
| Processus controle |
| Rapide rayon - x mapping |
Le Vortex® -EM fonctionne à une température proche de la température ambiante et est refroidi par un refroidisseur thermoélectrique ( TEC ) et peut être pédalé aussi souvent que nécessaire, sans aucune dégradation des performances du détecteur. Refroidir les temps sont généralement moins de 2 minutes. Le système de spectroscopie de rayons X Vortex® -EM comprend une unité de détection et la boîte de commande qui comprend des alimentations pour le détecteur, TEC et un processeur d' impulsion numérique en option avec PI -SPEC Software. Le détecteur complet contient également un système préamplificateur et la température de stabilisation de charge sensibles , ce qui élimine les problèmes de variation de la température ambiante.
Fonctionnalités
- Sonde étendue (300 mm)
- Disponible en 30, 40, 50, 65, 70, 80 mm2
- Epaisseur de 0.5 et 1 mm
- Excellente resolution energétique
- Stabilisation de la température du détecteur
- Taille additionnelle en fonction du contrat
- Emballage petit et compact une des vibrations réduites
- Digitale pulsion processeur (DPP) avec PI-SPEC Software
|
Detector |
Material – Silicon Active Area – 30-80 mm2 - Thickness – 0.5 mm and 1 mm |
|---|---|
|
Window |
Material – Thin polymer or Be |
| Energy Resolution (FWHM) @ 5.9 keV | @ 1.0 µs Peaking Time 124e V - 138 eV @ 0.5 µs Peaking Time 130 eV - 139 eV @ 0.25 µs Peaking Time 135 eV - 148 eV @ 0.1 µs Peaking Time 145 eV - 180 eV |
| Preamplifier | Type – Charge sensitive, 1.5mV/keV Signal polarity – Positive Reset – Electrical, <1 µs duration Rise time – <100 ns |
| Cooling |
Thermoelectric |
|
Power Consumption |
Nominal voltage – 110/230 V (switchable) |
| Physical Specifications | Detector package weight – 3,375 g Length – 550 mm (300 mm probe) Height × Width – 114 mm × 102 mm Cable Standard Length – 3 m |
| Digital Controls |
Gain – 16-Bit DAC Peaking Time – 0.25 - 16 µs Preset Time – Up to 1717s |
| Data Output |
Spectrum Size – 1024, 2048 or 4096 channels Channel Size – 10, 20 or 40 eV |
| Integral Non-linearity |
0.1% of full-scale output |
| Deadtime Correction |
Better than ± 0.5% accuracy from 0 to 120,000 cps at 4 µs peaking time |
| Software |
PI-SPEC software* – Allows user to acquire, manipulate spectra. Pentium III or later with at least 64 MB memory and 30 MB available disk space. |