Manon GALLARD
(Ligne DIFFABS, Synchrotron SOLEIL, Gif sur Yvette)
Les matériaux à changement de phase (PCM, Phase Change Materials) sont utilisés dans les dispositifs mémoires PCRAM (Phase Change Random Access Memory), dans lesquels l’information est stockée par l’état du PCM (cristallin ou amorphe, correspondant aux deux états d’information 0/1). La lecture se fait par la mesure de la résistance du PCM qui est très différente suivant son état amorphe ou cristallin. L’optimisation et la fiabilité de ces dispositifs mémoires repose sur une compréhension fine des mécanismes physiques à l’œuvre lors de la transition amorphe-cristal.
Pendant cette thèse, un système modèle (GeTe) a été caractérisé in situ au synchrotron. Le comportement thermoélastique et le mécanisme de cristallisation ont été étudiés pour plusieurs géométries d’échantillon : des films minces (épaisseurs de 100 nm à 5 nm), des nano-piliers (diamètre 50 nm à 250 nm, 50 nm de haut) et des agrégats (diamètre 10 nm).
Les membres du jury sont : René GUINEBRETIERE Professeur ENSCI, Limoges Rapporteur Sylvain MAITREJEAN Ingénieur-chercheur CEA, Grenoble Rapporteur Philippe GOUDEAU Directeur de recherche CNRS, Poitiers Examinateur Françoise HIPPERT Professeur Grenoble INP, Grenoble Examinateur Philippe BOIVIN Ingénieur, STMicroelectronics Rousset Invité Cristian MOCUTA Scientifique de ligne, SOLEIL Co-directeur de thèse Olivier THOMAS Professeur AMU, Marseille Directeur de thèse
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Contact: Sandrine Vasseur
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