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Science à HERMES

La recherche scientifique à SOLEIL / Lignes de lumière / HERMES / Science
Highlights
 
Graphitisation de 3C-SiC/Silicium : La technologie Graphène –Silicium à portée de main !

Le graphène est un cristal bidimensionnel (monoplan) de carbone dont l'empilement constitue le graphite. Il fut isolé en 2004 par Andre Geim, du département de physique de l'université de Manchester, qui a reçu pour cette découverte le prix Nobel de physique en 2010 avec Konstantin Novoselov. Il suscite un engouement considérable à la fois dans la recherche académique et dans le monde industriel.


 
X-PEEM : Un microscope entre ELETTRA et SOLEIL

Une convention de collaboration et de recherche a été établi en 2003 entre d’une part le CNRS et le synchrotron national SOLEIL, et d’autre part le synchrotron italien ELETTRA basé à Trieste – Italie. Le but de cette convention est d’établir une collaboration formelle entre des groupes de recherche Français et Italiens dans le domaine de la microscopie X et plus particulièrement la microscopie X-PEEM (X-ray PhotoEmitted Electron Microscopy). Ainsi, le microscope X-PEEM de SOLEIL a pu être installé sur la branche française de la ligne Nanospectroscopy à ELETTRA dans l’attente de la construction de la ligne de microscopie X-mous à SOLEIL où il sera installé fin 2010.


 
Manipulation de « bits » magnétiques dans une nanostructure magnétique : Une étude par imagerie magnétique

Les études portant sur le nanomagnétisme, et plus particulièrement l’électronique de spin, ont connu ces dernières années un très grand essor.


Génération de parois de domaines à 360° dans des jonctions tunnel magnétiques Les jonctions tunnel magnétiques (MTJ) sont probablement l'un des dispositifs les plus étudiés dans le domaine de recherche appelé ‘spintronique’ ou électronique de spin. Leur partie active est composée de deux électrodes ferromagnétiques séparées par une couche isolante d’épaisseur inférieure à 3 nm de telle sorte qu’un courant tunnel puisse s’établir entre les deux électrodes.


 

 
Graphitisation de substrats 3C-SiC/Si(111) : vers la maitrise de la technologie graphène- silicium

Une étude multi-techniques (LEEM*, LEED**, STM***) réalisée par une collaboration entre les équipes du LPN-Marcoussis, du synchrotron SOLEIL et du SPCSI, a permis de caractériser une nouvelle méthode d'élaboration de couches de graphène. Les couches sont obtenues sur des films minces de SiC déposés sur des substrats de silicium standards pour la microélectronique. Cette convergence entre une nouvelle technologie graphène et la technologie silicium est un pas vers la réalisation de composants électroniques de haute performance.


 
Magnetostructure of MnAs on GaAs revisited

The ferromagnetic hexagonal α-phase of MnAs has a phase transition to the non-ferromagnetic orthorhombic β-phase at 318 K. The nature of magnetism in this phase has been the subject of many experimental and theoretical studies. The most recent theoretical work predicts either an antiferromagnetic or paramagnetic state. We have addressed this problem also from the experimental side, using epitaxial MnAs layers on GaAs. MnAs layers on GaAs are highly strained, which broadens the phase transition over a range of about 30 K. In this range α- and β-phase coexist. This allows studying both phases by combining XMLD- and XMCD-PEEM to determine the magnetic state of the β-phase and its interrelation with the ferromagnetic α-phase.


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